适用范围：主要技术内容:本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体

适用范围：主要技术内容:本文件规定了灯泵浦激光焊接机的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输与贮存。本文件适用于灯泵浦激光焊接机的设计、制造和验收

适用范围：范围:本标准规定了光谱范围为190nm～1100 nm的光谱仪器用线阵电荷耦合成像器件的术语和参数测试方法。 本标准适用于光谱范围为190nm～1100 nm的光谱仪器用线阵电荷耦合成像器件（以下简称CCD器件）的参数测试; 主要技术内容:测试方法的分类本标准规定的测试方法分类如下：——方法 01  暗信号；——方法 02  暗信号非均匀性（固定图像噪声）；——方法 03  读出噪声；——方法 04  光响应非线性、饱和输出信号；——方法 05  动态范围；——方法 06  信噪比；——方法 07  缺陷；——方法 08  光响应非均匀性；——方法 09  响应率；——方法 10  光谱响应范围