适用范围：范围:本文件规定了超短脉冲近紫外激光加工场镜的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于波长340 nm～360 nm的超短脉冲近紫外激光加工场镜的设计、制造和检验; 主要技术内容:前言III1  范围12  规范性引用文件13  术语和定义14  技术要求14.1  一般要求14.2  外观14.3  尺寸24.4  性能25  试验方法25.1  外观25.2  尺寸25.3  性能26  检验规则36.1  出厂检验36.2  型式检验37  标志、包装、运输和贮存37.1  标志37.2  包装37.3  运输37.4  贮存4参考文献5

适用范围：范围:本文件适用于在汽车电子系统中使用的高可靠性高集成柔性电路，包括但不限于汽车中控升降屏、胎压压力传感器、Z轴按键压力传感器等领域的柔性电路连接部件; 主要技术内容:本文件规定了车载高可靠性高集成柔性电路技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存等技术要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定了中大尺寸（17inch及以上）柔性OLED显示屏在折叠、卷曲、弯曲、滑移等单一形态的机械试验方法

适用范围：主要技术内容:本文件规定了金属化薄膜电容器卷绕机的分类、正常工作条件、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件规定了UVC-LED杀菌芯片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于倒装结构的UVC-LED杀菌芯片的生产和检验; 主要技术内容:4 技术要求4.1 外观质量4.2 结构和材质4.3 外形尺寸4.4 光电特性4.5 光电参数的范围要求4.6 绝对最大额定值4.7 环境适应性5 试验方法5.1 试验条件5.2 外观质量5.3 外形尺寸5.4 光电特性5.5 环境适应性6 检验规则6.1 检验分类6.2 组批6.3 重新提交6.4 筛选6.5 鉴定检验6.6 质量一致性检验6.7 样品的处理6.8 不合格判定7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志7.2 包装7.3 运输7.4 贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电源管理芯片的外观检测、电特性测试、温度特性测试、静电防护测试以及检验规则等测试方法。本文件适用于电源管理芯片的测试方法

适用范围：主要技术内容:本文件确立了汽车用石英晶体元件的可靠性试验程序，并规定了可靠性试验方法。本文件适用于汽车用石英晶体元件的可靠性试验，包含表面贴装（Surface Mounted Devices， SMD）晶体元件和插件式晶体元件、线状引出端（Through Hole Device, THD）晶体元件

适用范围：范围:本文件规定了Mini/Micro LED显示屏Mura缺陷测试的一般要求、亮度Mura缺陷评价和色度Mura缺陷评价。 本文件适用于子像素由最长边小于300μm的LED芯片构成的，且子像素和像素均呈矩形排列的室内外Mini/Micro LED显示屏。其它排列方式的室内外Mini/Micro LED显示屏参考执行; 主要技术内容:本标准规定了Mini/Micro LED显示屏Mura缺陷测试的一般要求、亮度Mura缺陷评价和色度Mura缺陷评价。本标准给出了测试Mini/Micro LED显示屏Mura缺陷要求的测试设备、电源、稳定条件、被测区域、测量角度、测量距离。本标准提出了亮度Mura缺陷评价的方法，包含测试程序中，每个像素的亮度对比度（Cp_i）、计算其最小可觉察差异对比度（C_jndi）、亮度Mura指数LMU_i、待测区域亮度Mura缺陷指数LMU等计算公式。本标准提出了色度Mura缺陷评价的方法，包含测试程序中，主波长差异?λ_Dpi、待测区域色度Mura缺陷指数CMU等计算公式

适用范围：主要技术内容:本文件规定了激光贴地仪的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、随行文件、运输和贮存。本文件适用于激光贴地仪的生产和检验