适用范围：本文件规定了厚膜集成电路用银钯导体浆料的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。本文件适用于由导电相、玻璃相、有机载体以及添加剂组成的能满足印刷特性的厚膜集成电路用银钯导体浆料(以下简称：银钯导体浆料)。

适用范围：本文件规定了附建式变电站对站址选择、站区总布置、电气一次、系统和电气二次、土建、消防、节能和环境保护、劳动安全和职业卫生的设计要求。本文件适用于城市新建、改建及扩建的户内110 kV(66 kV)~220 kV附建式变电站。本文件不适用于地下变电站。

适用范围：本文件规定了有机发光二极管显示用正胶显影液的缩略语、分类和标记、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和安全。 本文件适用于有机发光二极管显示用正胶显影液，其主要组分为通过季铵盐化合物电解制得的四甲基氢氧化铵。 四甲基氢氧化铵的基本信息见附录A的A.1。

适用范围：本文件规定了显示面板用氧化层缓冲刻蚀液的缩略语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和安全。 本文件适用于由氢氟酸水溶液和氟化铵水溶液组成的显示面板用氧化层缓冲刻蚀液，适用于显示面板制造中硅氧化物和氮化硅层的蚀刻，同样适用于硅氧化物和氮化硅层的清洗过程。 氢氟酸和氟化铵的基本信息见附录A中的A.1。

适用范围：本文件规定了片式电阻器用低温固化包封浆料的技术要求、检验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本文件适用于由功能填料、有机载体以及添加剂组成的能满足印刷特性的片式电阻器用低温固化包封浆料（以下简称：低温固化包封浆料）。

适用范围：本文件规定了半导体用正胶显影液的分类和标记、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和安全。 本文件适用于半导体用正胶显影液，其主要组分为通过季铵盐化合物电解制得的四甲基氢氧化铵。 四甲基氢氧化铵的基本信息见附录A中的A.1。

适用范围：1.1 T/CEPPEA 5004的本部分规定了压水堆核电厂常规岛及其配套设施建筑部分施工图设计文件内容深度的基本要求，涵盖了施工图设计中各工艺系统建筑和辅助、附属建筑部分的设计内容。1.2 本部分适用于单机容量300 MW等级及以上新建、扩建和改建压水堆核电厂常规岛及其配套设施的施工图设计。

适用范围：本文件规定了半导体显示用高碱浓度负胶显影液的缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、标志及包装、运输、贮存和安全事项。本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)彩膜工艺光刻胶的显影。

适用范围：1.1 T/CEPPEA 5004的本部分规定了压水堆核电厂常规岛及其配套设施供暖通风与空气调节部分施工图设计文件内容深度的基本要求，涵盖了施工图设计中各建筑厂房的供暖、通风和空气调节部分的设计内容。1.2 本部分适用于单机容量300 MW等级及以上新建、扩建和改建压水堆核电厂常规岛及其配套设施的施工图设计。

适用范围：本文件规定了片式叠层陶瓷电容器(MLCC)用超细银钯合金粉的技术要求、检验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本文件适用于MLCC用超细银钯合金粉(以下简称超细银钯合金粉)，其他产品用银钯合金粉可参照使用。