适用范围：本文件描述了用单筒同轴圆筒旋转法测定液态金属表观黏度的方法。 本文件适用于在室温至200 ℃范围内进行液态金属表观黏度的测定。温度范围根据所使用的仪器进行扩展。

适用范围：本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

适用范围：本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。 本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

适用范围：本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

适用范围：本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。 本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

适用范围：本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。 本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

适用范围：本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

适用范围：本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。

适用范围：本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

适用范围：本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。 本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

适用范围：本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。 本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

适用范围：本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。 本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

适用范围：本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

适用范围：本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。

适用范围：本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。

适用范围：本文件规定了除铁氧体以外的软磁材料在20 Hz~100 kHz频率范围的交流磁性能测试方法。本文件涉及的材料包括电工钢、铸件和软磁复合材料、GB/T 21220中列出的特殊合金以及GB/T 24296中列出的压制、烧结和金属注射成形的元件。 本文件旨在明确用环形试样测试软磁材料磁性能的通则和技术细节。对于粉末状材料，通过适当挤压的方法制成环形试样。 软磁材料的直流磁性能的环形试样测量方法见GB/T 13012；软磁元件的磁特性测定见GB/T 28869.1。 通常在(23±5)℃的环境温度下检测，测试前环形试样先退磁。经供需双方协商后，检测也能在其他温度范围内进行。

适用范围：本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

适用范围：本文件描述了用直流四探针法测定液态金属电阻率和电导率的方法。 本文件适用于在室温至300 ℃范围内进行液态金属电阻率和电导率的测定。

适用范围：本文件规定了采用抛移法测量矫顽力的试样、测量装置、测量原理、测定程序、测量结果再现性和测试报告。 本文件适用于电磁纯铁及软磁合金材料的矫顽力测量。