适用范围：本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层（N/N＋）和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P＋）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

适用范围：GB/T 12467的本部分规定了金属材料熔焊的基本质量要求。本部分适用于车间及现场的焊接。

适用范围：本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

适用范围：GB/T 12467的本部分规定了符合GB/T 12467.2、GB/T 12467.3和GB/T 12467.4质量要求应依据的标准指南。 本部分适用于制造商焊接能力的评估认证，本部分应与GB/T 12467.2、GB/T 12467.3和GB/T 12467.4配套使用。

适用范围：本标准规定了合理润滑的术语和定义、合理润滑设计、润滑剂产品供应、润滑剂使用和润滑剂报废及再利用等技术要求。本标准适用于需要给予润滑的设备的设计与制造以及使用与管理；润滑剂的生产；润滑剂的使用与管理；报废润滑剂的处理与再利用。

适用范围：本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10 Ω～5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

适用范围：2.1本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。

适用范围：本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。