适用范围：主要技术内容:本文件规范了光源-掩模联合优化数据输入格式的数据结构。本文件适用于晶圆制造领域，包括晶圆制造厂（涵盖存储和逻辑芯片制造）本身和对应的计算光刻软件支持单位。本标准应用于自28nm技术节点开始，以及后续更先进工艺的所有节点中的相关工艺层次

适用范围：主要技术内容:本标准规定了刚性印制电路板外观通用准则的术语与定义、要求、试验方法和检验规则。本标准适用于刚性印制电路板（以下简称PCB）外观品质的控制和验收，不适用于高频等特种印制电路板的外观品质的控制和验收

适用范围：主要技术内容:本文件适用于磷酸铁锂正极材料产线规范要求的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于磷酸铁锂正极材料产线的生产和检验

适用范围：范围:本标准规定了印制板用阻焊剂的技术要求、试验方法、检验规则及包装、运输和储存等。 本标准适用于印制板用各类阻焊剂，但不包括可剥阻焊剂（油墨）; 主要技术内容:——对阻焊剂的分类、等级进行了修订；——引入了“起泡”、“水解稳定性”、“电迁移”术语；——将“要求”章分为“使用前产品特性”和“固化后产品特性”二部分；——增加了“有害物质含量限值”、“层间附着力”、“电迁移”要求；——删除了“细度”和“光致成象性”要求，变更了“印刷性”、“阻焊性”等项目的名称；——将“高低温循环”、“绝缘电阻的潮湿试验条件”等项目的试验条件内容移至“试验方法”章；——将“贮存寿命”要求移至“包装、运输和贮存”章；——在“试验方法”章中，取消了“试样基材”

适用范围：主要技术内容:本文件规定了二极管GPP沟槽清洗用混合酸的成分、纯度要求、浓度要求、配制比例、混合酸配制和使用要求等。本文件适用于采用二极管（包括整流二极管、快恢复功率二极管、可控硅、瞬态二极管、半导体放电管等）湿法腐蚀工艺清洗GPP沟槽的混合酸的配制

适用范围：主要技术内容:本文件规范了OPC工具中Model组件与Recipe组件的应用程序接口，提出了应用程序接口的名称，参数、返回值和功能逻辑等的技术要求。本文件适用于指导OPC flow各阶段不同工具与其上下游工具之间数据的交互，也可用于指导开放统一处理单Tile上Geometry数据接口的开发，为定制化OPC Engine提供统一功能接口

适用范围：主要技术内容:本文件规定了计算机视觉领域面向云侧的深度学习训练芯片功能及性能各相关指标的技术要求，并描述了对应的测试方法。本文件适用于芯片生产厂商、应用厂商及第三方机构对计算机视觉领域面向云侧的深度学习训练芯片（包含AI芯片模组和AI加速卡等形态）进行设计、采购、评测

适用范围：范围:本文件规定了射频（300kHz~300GHz）电路用低损耗陶瓷基板材料的厚度、电性能、热性能、机械性能、物理性能、可加工性、工艺适应性及环境可靠性的试验方法。 本文件适用于低损耗陶瓷基板材料在材料级的性能测试及加工成陶瓷基印制板后的元件级验证; 主要技术内容:本文件规定了射频（300kHz~300GHz）电路用低损耗陶瓷基板材料的厚度、电性能、热性能、机械性能、物理性能、可加工性、工艺适应性及环境可靠性的试验方法。本文件适用于低损耗陶瓷基板材料在材料级的性能测试及加工成陶瓷基印制板后的元件级验证

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车电驱动用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电动汽车电驱动系统中使用的碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块

适用范围：范围:本文件规定了通讯设备用关键材料施加高频信号电磁辐射环境试验方法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、系统校准、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。 本文件适用于片状的固体材料。 频率测试范围：26.5 GHz~40 GHz； 电场强度测试范围：1000 V/m~3000 V/m; 主要技术内容:本文件规定了通讯设备用关键材料施加高频信号电磁辐射环境试验方法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、系统校准、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于片状的固体材料。频率测试范围：26.5 GHz~40 GHz；电场强度测试范围：1000 V/m~3000 V/m