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  • GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 现行
    译:GB/T 43493.2-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
    适用范围:本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43490-2023 轮胎用射频识别(RFID)电子标签 现行
    译:GB/T 43490-2023 Radio frequency identification (RFID) tyre tags
    适用范围:本文件规定了轮胎用射频识别(RFID)电子标签(以下简称RFID电子标签)的要求,包括基本参数与配置和技术要求。 本文件包含了3种技术的RFID电子标签:植入式、补片式、粘贴式。 本文件适用于所有类型的轮胎使用的RFID电子标签。
    【国际标准分类号(ICS)】 :83.160.01轮胎综合 【中国标准分类号(CCS)】 :G41轮胎
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43495-2023 轮胎用射频识别(RFID)电子标签应用分类 现行
    译:GB/T 43495-2023 Tyre attachment classification for radio frequency identification (RFID) tyre tags
    适用范围:本文件规定了基于不同技术(植入式、补片式、粘贴式)的轮胎用射频识别(RFID)电子标签(以下简称RFID电子标签)应用,用于用户理解其差异、目标、可能的应用及局限性。本文件包括:--每项技术的通用要求;--RFID轮胎的推荐识别标识。本文件不包括:--轮胎质量及其测试的相关项目参考资料;--植入位置的详细参考资料;--混炼胶胶料性能的详细参考资料;--轮胎制造工艺的详细参考资料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :83.160.01轮胎综合 【中国标准分类号(CCS)】 :G41轮胎
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43491-2023 钢丝绳 蠕变试验方法 现行
    译:GB/T 43491-2023 Steel wire ropes—Creep testing method
    适用范围:本文件规定了钢丝绳蠕变试验的原理、试验设备、试样、试验程序、试验数据处理和试验报告。 本文件适用于钢丝绳在恒定载荷下蠕变性能的测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.10金属材料机械试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H22金属力学性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-04-01
  • GB/T 43489-2023 烧结钕铁硼永磁体 恒定湿热试验 现行
    译:GB/T 43489-2023 Sintered neodymium iron boron permanent magnets—Steady state damp heat tests
    适用范围:本文件描述了烧结钕铁硼永磁体的恒定湿热试验的方法。 注:依据试验时试验箱内蒸汽压高低,烧结钕铁硼永磁体的恒定湿热试验分为普通恒定湿热试验和高压蒸汽恒定湿热试验,其中,高压蒸汽恒定湿热试验又分为HAST试验和  PCT试验。 本文件适用于有覆盖层的烧结钕铁硼永磁体的恒定湿热试验,覆盖层包括金属防护层、涂层、转化膜层和复合防护层;也适用于烧结钕铁硼永磁体开路状态下的磁通不可逆损失测量前的恒定湿热试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H14稀有金属及其合金分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 现行
    译:GB/T 43493.3-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence
    适用范围:本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43492-2023 预制保温球墨铸铁管、管件和附件 现行
    译:GB/T 43492-2023 Thermal preinsulated ductile iron pipes,fittings and accessories
    适用范围:本文件规定了预制保温球墨铸铁管、管件和附件的技术要求、试验方法、检验规则和标识。 本文件适用于在工厂预制完成,保温材料为硬质聚氨酯泡沫塑料,输送温度不低于0℃、设计温度不高于130℃的水,公称直径为DN40~DN1600的预制保温球墨铸铁管、管件和附件,包括: ——用于给水、排水、供热、供冷等管道工程; ——用于有压或无压输送(供热用途时设计压力不超过2.5 MPa); ——用于地下(直埋、管沟、综合管廊)或地上(架空)敷设。
    【国际标准分类号(ICS)】 :23.040.10铁管和钢管 【中国标准分类号(CCS)】 :H48钢管、铸铁管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43494-2023 轮胎用射频识别(RFID)电子标签编码 现行
    译:GB/T 43494-2023 Coding for radio frequency identification (RFID) tyre tags
    适用范围:本文件规定了轮胎用射频识别(RFID)电子标签(以下简称RFID电子标签)编码通用要求、数据结构。本文件适用于各种技术的轮胎用RFID电子标签。
    【国际标准分类号(ICS)】 :83.160.01轮胎综合 【中国标准分类号(CCS)】 :G41轮胎
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43496-2023 建筑幕墙热循环和结露检测方法 现行
    译:GB/T 43496-2023 Test method of thermal cycling and condensation resistance of curtain walls
    适用范围:本文件规定了建筑幕墙热循环和结露检测方法的通用要求、检测原理、检测装置、试件及安装、检测方法及检测报告。 本文件适用于建筑幕墙热循环和结露的实验室检测。检测对象只限于建筑幕墙试件本身及其与结构之间的连接构造。
    【国际标准分类号(ICS)】 :91.060.10墙、隔墙、面墙 【中国标准分类号(CCS)】 :P32建筑构造与装饰工程
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 现行
    译:GB/T 43493.1-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
    适用范围:本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01