适用范围：范围:本文件规定了UVC-LED杀菌芯片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于倒装结构的UVC-LED杀菌芯片的生产和检验; 主要技术内容:4 技术要求4.1 外观质量4.2 结构和材质4.3 外形尺寸4.4 光电特性4.5 光电参数的范围要求4.6 绝对最大额定值4.7 环境适应性5 试验方法5.1 试验条件5.2 外观质量5.3 外形尺寸5.4 光电特性5.5 环境适应性6 检验规则6.1 检验分类6.2 组批6.3 重新提交6.4 筛选6.5 鉴定检验6.6 质量一致性检验6.7 样品的处理6.8 不合格判定7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志7.2 包装7.3 运输7.4 贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电源管理芯片的外观检测、电特性测试、温度特性测试、静电防护测试以及检验规则等测试方法。本文件适用于电源管理芯片的测试方法

适用范围：主要技术内容:本文件规定了标准PCIe接口形态的冷板式液冷人工智能加速卡设计的技术规范，并描述了对应的测试方法。本文件适用于标准PCIe接口形态的冷板式液冷人工智能加速卡/服务器的设计、制造和测评，其他结构形态的冷板式液冷人工智能加速卡可参考使用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了加固液晶屏的术语和定义、结构、原材料、技术要求、实验方法、检验规则和标志、使用说明书。本文件适用于加固液晶屏

适用范围：范围:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：主要技术内容:本文件规定了中大尺寸（17inch及以上）柔性OLED显示屏在折叠、卷曲、弯曲、滑移等单一形态的机械试验方法

适用范围：范围:本文件适用于激光刻蚀共形天线工艺流程规范; 主要技术内容:本文件规定了共形天线工艺流程规范的准备、要求

适用范围：范围:本文件规定了超短脉冲近紫外激光加工场镜的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于波长340 nm～360 nm的超短脉冲近紫外激光加工场镜的设计、制造和检验; 主要技术内容:前言III1  范围12  规范性引用文件13  术语和定义14  技术要求14.1  一般要求14.2  外观14.3  尺寸24.4  性能25  试验方法25.1  外观25.2  尺寸25.3  性能26  检验规则36.1  出厂检验36.2  型式检验37  标志、包装、运输和贮存37.1  标志37.2  包装37.3  运输37.4  贮存4参考文献5

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光刻用AT切石英晶片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、运输、储存。本文件适用于光刻用AT切石英晶片

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子产品连接线的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电子产品连接线的生产和检验