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  • GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 现行
    译:GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
    适用范围:本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-12-31 | 实施时间: 2013-06-01