国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 26070-2010 Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.99金属材料的其他试验方法 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏 -
现行
译：GB/T 26074-2010 Germanium monocrystal—Measurement of resistivity-DC linear four-point probe适用范围：本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.99金属材料的其他试验方法 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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