适用范围：[STFZ]2.1[ST]本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。 [STFZ]2.2[ST]本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。 [STFZ]2.3[ST] 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。

适用范围：本标准规定了整樘门在开启条件下，在门扇上施加垂直荷载所产生变形的测量方法。 本标准适用于在正常使用状态下由各种材料制成的带竖向铰链的整樘门的垂直荷载试验。正常使用状态是指整樘门按照制造商根据实际使用状态提出的建议进行设计和安装，并满足本标准所规定的试验条件。

适用范围：本标准规定了防尘防毒的基本术语和相关定义。 本标准适用于防尘防毒的工程设计、管理、研究与教学等相关领域。

适用范围：本标准规定了由高密度聚乙烯外护管（以下简称外护管）、硬质聚氨酯泡沫塑料保温层（以下简称保温层）、工作钢管或钢制管件组成的预制直埋保温管（以下简称保温管）及其保温管件和保温接头的产品结构、要求、试验方法、检验规则及标识、运输与贮存等。 本标准适用于输送介质温度（长期运行温度）不高于120 ℃，偶然峰值温度不高于140 ℃的预制直埋保温管、保温管件及保温接头的制造与检验。

适用范围：本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）测定硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。各元素测定范围见表1。

适用范围：本标准规定了工业蒸汽锅炉水汽系统节水降耗的设计、安装调试、使用管理和效果评价的技术要求。本标准适用于额定出口蒸汽压力小于3.8 MPa，以水为介质的固定式蒸汽锅炉及其水汽系统。

适用范围：本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。

适用范围：本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。

适用范围：本标准规定了窗的五金配件锁紧力和松开力以及推拉窗扇或平开窗扇启闭力的试验方法。 本标准适用于各种材料制作且为手动操作的窗的启闭力试验。

适用范围：本标准规定了道路用抗车辙剂沥青混凝土的术语和定义、要求、试验方法、检验规则和运输。 本标准适用于掺加抗车辙剂的道路用沥青混凝土的检验和使用。