适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

适用范围：1.1本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 1.2被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。 注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。 1.3分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

适用范围：本标准规定了钛及钛合金铸锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容等。 本标准适用于真空自耗电弧炉（VAR）、电子束冷床炉（EBCHM）生产的钛及钛合金圆型铸锭和矩形扁锭。

适用范围：本标准规定了铌及铌锆合金丝的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于冷拉方法生产的铌及铌锆合金圆形丝材。

适用范围：1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。

适用范围：1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

适用范围：本标准规定了钽铌复合碳化物的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于五氧化二钽（或钽粉）、五氧化二铌碳热还原法制得的钽铌复合碳化物。该产品用于生产硬质合金。

适用范围：本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。 本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

适用范围：本标准规定了铍铝合金的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。 本标准适用于由粉末冶金工艺或由真空熔铸工艺生产的铍含量在60%～69%的铍铝合金产品。

适用范围：本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。