适用范围：本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品（以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括：--晶圆；--单个裸芯片；--带有互连结构的芯片和晶圆；--最小或部分封装芯片和晶圆。

适用范围：本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

适用范围：为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。