国际标准分类(ICS)
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被代替译:GB/T 26071-2010 Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells适用范围:本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26067-2010 Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers适用范围:1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像,通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26074-2010 Germanium monocrystal—Measurement of resistivity-DC linear four-point probe适用范围:本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm~1×102Ω·cm。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.99金属材料的其他试验方法 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26066-2010 Practice for shallow etch pit detection on silicon适用范围:本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001 Ω·cm。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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被代替译:GB/T 26069-2010 Specification for silicon annealed wafers适用范围:本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。 本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26073-2010 Safety guideline for the evaluation of toxic and flammable gas detection systems适用范围:本标准规定了用于安全监测的固定式气体检测系统评价的术语和定义、项目和内容以及气体检测技术。 本标准适用于有毒和易燃气体检测系统的安全评价。本标准不适用于消防及安全守则的规定。【国际标准分类号(ICS)】 :71.040.40化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 :G86工业气体与化学气体发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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被代替译:GB/T 26075-2010 Steel bars for sucker rods适用范围:本标准规定了抽油杆用圆钢的订货内容、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志和质量证明书等。 本标准适用于公称直径不大于70mm的抽油杆用圆钢(以下简称圆钢)。【国际标准分类号(ICS)】 :77.140.60钢棒和条钢 【中国标准分类号(CCS)】 :H44型钢、异型钢发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26072-2010 Germanium single crystal for solar cell适用范围:本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26076-2010 Metal sheets and strips—Axial-force-controlled fatigue testing method适用范围:本标准规定了室温下金属薄板(带)试样(没有引入应力集中)轴向力控制疲劳试验的术语和定义、试样、试验条件、试验程序、结果表示和试验报告。 本标准适用于厚度为0.3 mm~3 mm的金属薄板(带)试样(不包括缺口试样)承受图1所示任一类型、恒负荷轴向循环应力幅的疲劳试验;试样矩形横截面的最小截面积小于30 mm2。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.10金属材料机械试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H22金属力学性能试验方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏
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现行译:GB/T 26070-2010 Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method适用范围:1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.99金属材料的其他试验方法 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2011-01-10 | 实施时间: 2011-10-01收藏