适用范围：本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。

适用范围：1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

适用范围：本标准规定了抽油杆用圆钢的订货内容、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志和质量证明书等。 本标准适用于公称直径不大于70mm的抽油杆用圆钢(以下简称圆钢)。

适用范围：本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。

适用范围：本标准规定了用于安全监测的固定式气体检测系统评价的术语和定义、项目和内容以及气体检测技术。 本标准适用于有毒和易燃气体检测系统的安全评价。本标准不适用于消防及安全守则的规定。

适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

适用范围：1.1本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 1.2被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。 注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。 1.3分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

适用范围：1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。