适用范围：本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

适用范围：本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

适用范围：本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统（SoC）的设计、制造、采购、验收。

适用范围：本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

适用范围：本文件规定了手机显示屏光学参数测量技术基本要求、最大亮度和亮度均匀性、亮度对比度、白场色度、白场色品不均匀度、色域和不同环境光照下的光学参数的要求。本文件适用于手机显示屏产品，其他类似手持式移动终端显示设备参照使用。

适用范围：本文件规定了户外LED显示屏光学参数、测量原理、试验条件、测量设备、环境照度测量和最大亮度测量的要求。本文件适用于安装在户外的全彩色、多色或单色LED显示屏测量。

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。 注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

适用范围：本文件规定了标称电压1 000 V及以下交流电力系统用低压功率因数校正装置的标志、使用条件、产品分类、设计、安装、运行和安全导则、设计验证和例行试验等。 本文件适用于交流频率50 Hz、额定电压1 000 V及以下调整电网功率因数的低压功率因数校正装置，装置内部有校正功率因数用的低压交流并联电容器组，其可配备能够连通或断开电容器组的主电路的开关设备和控制设备以校正功率因数。如下文无另行说明，低压功率因数校正装置符合GB/T 7251.1—2013和GB/T 7251.12—2013的要求。 交流频率50 Hz、额定电压1 140 V的低压功率因数校正装置参考本文件。

适用范围：本文件规定了陀螺仪的术语和定义、额定值、性能参数及测量方法。 陀螺仪主要用于消费电子、工业和航空航天等。陀螺仪广泛采用MEMS和半导体激光器技术。

适用范围：本文件描述了可穿戴设备的光辐射安全测量方法，包括测量条件、测量设备及测量步骤等。本文件适用于发射波长为200 nm~3 000 nm非相干光的可穿戴设备的测量。

适用范围：本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

适用范围：本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。

适用范围：本文件规定了北斗/全球卫星导航系统(GNSS)高精度片上系统(SoC)(以下简称高精度SoC)的主要功能、性能、电气特性和环境适应性等要求及相应测试方法。本文件适用于高精度SoC的研制、检测和应用。

适用范围：本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

适用范围：本文件规定了焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法。 本文件规定的测量方法，在符合下述约定条件下，为用户提供尺寸保证： a) 测量一般采用手工或自动方式进行； b) 如果某个尺寸不易直接测量，则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。

适用范围：本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

适用范围：本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义，给出了基本额定值和特性，描述了测试方法，用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求，用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。