适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

适用范围：本标准给出了半导体制造设备（SME）在供应商工厂的最终装配（总装）、包装、运输以及在客户洁净室生产区的拆包和安放等特定活动指南。 本标准适用于半导体制造设备、独立的组件和部件在供应商工厂的最终装配（总装）、包装和运输以及从客户装货码头/接收区到高纯和超高纯应用的洁净室生产区的转移过程。 本标准不包含与环境、健康和安全（EHS）相关的特殊要求，也不适用于与晶片粒子或晶片质量（如离子污染度）相关的加工过程规范。

适用范围：本标准规定了印制板用铜箔外观、尺寸、物理性能、工艺性能及其他性能的试验方法。 本标准适用于刚性及挠性印制板用铜箔。

适用范围：本标准规定了直流电子负载的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于输入电压小于或等于600 V（DC）的直流电子负载。

适用范围：本标准规定了印制板用光成像耐电镀抗蚀剂的术语和定义、性能、试验方法、检验规则和包装。 本标准适用于印制板制造用的光成像耐电镀抗蚀剂、光成像抗电镀剂、光成像抗酸性蚀刻剂和光成像抗碱性蚀刻剂。

适用范围：本标准规定了与卫星导航定位应用有关的时间系统的术语和定义、标记方法，以及时间系统的建立、系统时间换算方法和应用中的主要技术方法。 本标准适用于利用卫星导航定位系统进行与时间相关的导航、定位、定时、时间同步等领域的科研、教学及应用。

适用范围：本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

适用范围：本标准规定了光伏组件封装用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）胶膜（以下简称EVA胶膜）的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。 本标准适用于以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）为主要原料，添加各种助剂，经熔融加工成型，用于地面光伏组件封装的胶膜。