适用范围：本标准规定了燃煤工业锅炉能源利用状况的监测项目、监测方法和考核指标。本标准适用于额定热功率(额定蒸发量)大于0.7 MW(1 t/h)、小于或等于24.5 MW(35 t/h)的工业蒸汽锅炉和额定供热量大于2.5 GJ/h的工业热水锅炉。

适用范围：1.1本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。

适用范围：本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。 本标准测量的碳原子含量的有效范围：室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。

适用范围：GB/T 15036的本部分规定了实木地板的检验方法和检验规则。本部分适用于实木地板检验。

适用范围：本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

适用范围：本标准规定了电子工业用磷化氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于亚磷酸热分解、磷化物水解、单质磷与水或碱反应等方法获得并经精制得到的磷化氢产品。它主要用于半导体器件和集成电路生产的外延、离子注入和掺杂。 分子式：PH3。 相对分子质量：33.99758（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。

适用范围：本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为111、100或110、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。

适用范围：本标准规定了港口轮胎起重机（以下简称起重机）的产品分类及基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于港口装卸件杂货及散货用的轮胎起重机。

适用范围：本标准规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。它们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维。 分子式：O2。 相对分子质量：31.998 8（按2005年国际相对原子质量计算）。